Navitas presenta la quinta generación de tecnología SiC Trench-Assisted Planar (TAP)

La última tecnología GeneSiC™ de MOSFET SiC Planar Asistido por Trench (TAP) de 5ª Generación ofrece mejoras significativas en rendimiento, fiabilidad y robustez para centros de datos de IA, infraestructura de red y energía, y electrificación industrial

TORRANCE, Calif., 12 de febrero de 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS), líder de la industria en semiconductores de potencia de nitruro de galio (GaNFast™ GaN) y carburo de silicio (GeneSiC™ SiC), anunció hoy el lanzamiento de su plataforma tecnológica GeneSiC de 5ª generación. La tecnología MOSFET SiC Planar Asistida por Trench (TAP) de Alta Tensión (HV) representa un salto tecnológico significativo respecto a generaciones anteriores y ofrecerá una línea de MOSFETs líder en la industria de 1200V. Complementa las tecnologías de ultra alto voltaje (UHV) de 2300 V y 3300 V de la plataforma GeneSiC de 4ª generación, ampliando el liderazgo de Navitas en centros de datos de IA, infraestructura de red y energía, y electrificación industrial.

generación GeneSiC, ampliando el liderazgo de Navitas en centros de datos de IA, infraestructura de red y energía, y electrificación industrial.

La plataforma MOSFET de 5ª generación presenta la arquitectura TAP más compacta de Navitas hasta la fecha, combinando la robustez de una compuerta planar con los mejores índices de rendimiento gracias a una estructura de trench en la región de la fuente, elevando también la eficiencia y la fiabilidad a largo plazo para la electrónica de potencia de alto voltaje.

La plataforma de 5ª generación logra un nuevo punto de referencia en conversión de potencia mediante una mejora del 35% en el valor de mérito R

× Q (FoM), en comparación con la tecnología de 1200 V de la generación anterior. Esta mejora reduce significativamente las pérdidas por conmutación, permitiendo un funcionamiento más frío y frecuencias de operación más altas en etapas de potencia exigentes.

La conmutación de alta velocidad se refuerza aún más con una mejora de ~25% en la relación Q

/ Q . Cuando se combina con una especificación de voltaje umbral alto y estable (V ≥ 3V), esta tecnología garantiza inmunidad contra encendidos parásitos, proporcionando un control robusto y predecible de la compuerta incluso en entornos con alto ruido.

La tecnología de 5ª generación ofrece una mejora significativa en el rendimiento dinámico optimizando la característica R

× E y también integrando una tecnología de "Diodo de Cuerpo Suave" para mejorar aún más la estabilidad del sistema al minimizar la interferencia electromagnética (EMI) y asegurar una conmutación más suave durante ciclos de alta velocidad.

La cualificación de grado AEC-Plus de esta generación garantiza estabilidad y durabilidad a largo plazo para aplicaciones en centros de datos de IA, energía e infraestructura de red. Los principales referentes de fiabilidad incluyen:

• Pruebas de esfuerzo extendidas: duración 3 veces mayor para pruebas estáticas de alta temperatura y alto voltaje (HTRB, HTGB y HTGB-R).
• Pruebas avanzadas de fiabilidad en conmutación: polarización inversa dinámica (DRB) y conmutación dinámica de compuerta (DGS) para representar perfiles de misión estrictos en aplicaciones de conmutación rápida.
• Estabilidad líder en la industria: el menor desplazamiento de V
  GS,T
  H
  durante periodos prolongados de esfuerzo por conmutación, para una eficiencia estable a largo plazo.
• Fiabilidad extrema del óxido de compuerta: tiempo extrapolado de fallo del óxido de compuerta superior a 1 millón de años operando a V
  GS
  a 18V y 175°C.
• Mayor resistencia a rayos cósmicos: tasas FIT (Failure In Time) excepcionalmente bajas, asegurando fiabilidad crítica para la misión en entornos de gran altitud y alta disponibilidad.
  

"Nuestros clientes están redefiniendo los límites de la conversión de potencia en centros de datos de IA e infraestructura energética, y Navitas los acompaña en cada paso del camino", dijo Paul Wheeler, VP y Director General de la Unidad de Negocio SiC de Navitas. Añadió: "Las mejoras tecnológicas significativas en nuestra tecnología GeneSiC de 5ª generación subrayan el compromiso de Navitas de ofrecer el mejor rendimiento y fiabilidad en MOSFETs de carburo de silicio".

Un libro blanco sobre la tecnología Planar Asistida por Trench está disponible para su descarga gratuita en el sitio web de Navitas.

Navitas anunciará nuevos productos basados en esta plataforma tecnológica de 5ª generación en los próximos meses. Para más información sobre esta tecnología, por favor contacte a su Representante de Navitas o escriba a .

*Navitas utiliza el término ‘AEC-Plus’ para indicar componentes que superan los estándares AEC-Q101 y JEDEC para pruebas de fiabilidad, basándose en los resultados de pruebas de Navitas.

Sobre Navitas
Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) es un líder de próxima generación en semiconductores de potencia en nitruro de galio (GaN) y dispositivos IC integrados, y tecnología de carburo de silicio (SiC) de alto voltaje, impulsando la innovación en centros de datos de IA, computación de alto rendimiento, infraestructura energética y de red, y electrificación industrial. Con más de 30 años de experiencia combinada en tecnologías de banda prohibida ancha, los circuitos integrados de potencia GaNFast™ integran potencia GaN, control, sensado y protección, ofreciendo una entrega de energía más rápida, mayor densidad de sistema y mayor eficiencia. Los dispositivos SiC de alto voltaje GeneSiC™ aprovechan la tecnología patentada Planar Asistida por Trench para proporcionar la mejor capacidad de voltaje, eficiencia y fiabilidad de la industria para aplicaciones de red e infraestructura de media tensión. Navitas cuenta con más de 300 patentes emitidas o en trámite y es la primera empresa de semiconductores del mundo certificada como CarbonNeutral

.

Navitas Semiconductor, GaNFast, GaNSense, GaNSafe, GeneSiC y el logotipo de Navitas son marcas comerciales o marcas registradas de Navitas Semiconductor Limited o sus afiliados. Todas las demás marcas, nombres de productos y distintivos son o pueden ser marcas comerciales o marcas registradas utilizadas para identificar productos o servicios de sus respectivos propietarios.