En la conferencia de JPMorgan en Corea, SK Hynix: el ciclo alcista de la memoria se prevé más largo de lo esperado

Según el centro de operaciones Chase Wind, Morgan Chase publicó un informe de investigación el 8 de marzo de 2026, registrando las afirmaciones clave de la dirección de SK Hynix en la conferencia de Morgan Chase en Corea. Morgan Chase mantiene la calificación de aumento de posiciones para SK Hynix, con un precio objetivo de 1,250,000 wones coreanos, lo que implica un potencial de subida de aproximadamente 35% respecto al precio actual de las acciones (926,000 wones coreanos).

Para los inversores, esta conferencia transmitió las siguientes señales clave:

• La duración del ciclo alcista de la memoria superará las expectativas del mercado, el déficit de oferta y demanda es sumamente grave tanto en DRAM como en NAND;

• El negocio de HBM mantiene una posición de liderazgo sólida, el cronograma para la producción en masa de HBM4 sigue igual, el objetivo de rentabilidad se mantiene igual que el año pasado;

• Los principales fabricantes pivotan hacia la estrategia "prioridad de fábricas", el plan de inversión en infraestructura de unos 22 billones de wones coreanos demuestra su determinación por expandirse a largo plazo;

• Mayor intensidad de retorno para los accionistas, la compañía anunció en enero de 2026 un dividendo especial de 1 billón de wones coreanos y un plan de cancelación de acciones en tesorería, enviando una señal positiva.

La duración del ciclo alcista superará las expectativas

La dirección de SK Hynix expuso sistemáticamente en la conferencia múltiples factores impulsando la prolongación del ciclo alcista de la memoria:

1. Surgimiento de soluciones de memoria personalizadas: Productos personalizados como HBM (memoria de alto ancho de banda) están reconfigurando la estructura del mercado de memorias;

2. Cambios en la economía de obleas y suministros causados por HBM: Debido al concepto de "penalización de oblea a chip" (wafer-to-die penalty), HBM consume una mayor proporción de capacidad productiva;

3. La demanda de inferencia AI se extiende a DRAM/NAND tradicionales: La expansión de escenarios de aplicación de AI está trasladando la demanda de memoria desde HBM de alta gama hacia DRAM y NAND convencionales.

En cuanto a oferta y demanda, la dirección indicó claramente que tanto DRAM como NAND enfrentan severos déficits de oferta y demanda, y se espera que la tendencia alcista de precios continúe en el futuro previsible. Actualmente, los inventarios de proveedores y clientes de canal están por debajo del nivel promedio, el crecimiento en el volumen de bits enviados es básicamente igual al crecimiento en la producción de bits.

Alta atención de los inversores sobre acuerdos a largo plazo (LTA) y la continuidad del ciclo

Durante la conferencia, los inversores mostraron gran interés en los acuerdos de suministro a largo plazo (LTA) y la sostenibilidad del ciclo. La dirección calificó la industria de memorias actual como una fase de transformación del modelo de negocio, considerando la continuidad del ciclo alcista de memoria como la máxima prioridad estratégica.

En el marco LTA, la dirección enfatizó:

• Los acuerdos bilaterales más vinculantes son fundamentales para mejorar la visibilidad de ingresos y flujo de caja;

• Las consideraciones clave incluyen asegurar el volumen de suministro y el rango de precios, para garantizar la previsibilidad de los contratos de suministro;

• Normalmente, los LTA son acuerdos plurianuales (más de tres años);

• Según Morgan Chase, SK Hynix está adoptando una estrategia LTA más equilibrada, buscando un balance entre clientes B2B y B2C, manteniendo a la vez una estrategia de precios relativamente conservadora.

Liderazgo sólido de HBM, mayor retorno de capital

SK Hynix reafirmó el plan general para el negocio de HBM este año, el cronograma de ramp-up para la producción en masa de HBM4 se mantiene sin cambios (Morgan Chase estima que el volumen de bits enviados de HBM4 se cruzará en el tercer trimestre de 2026).

La compañía mostró gran confianza en mantener la posición de liderazgo en el negocio HBM, sustentado principalmente por: la colaboración profunda con socios del ecosistema, incluyendo la cooperación con una fábrica líder de obleas en el diseño y fabricación de chips lógicos; visibilidad clara en la hoja de ruta tecnológica.

En cuanto a precios, SK Hynix reafirmó que el volumen de bits enviados y los precios de HBM se negocian anualmente, buscando mantener niveles de rentabilidad similares a los del año pasado. A pesar de que los precios D5/LPD5 han repuntado significativamente desde el cuarto trimestre de 2025, la compañía considera que en 2026 prácticamente no hay posibilidad de renegociación de los contratos.

Además, SK Hynix mostró una postura más agresiva respecto al retorno para los accionistas. Tras establecer como objetivo prioritario obtener una posición neta de caja, la compañía ha mantenido flexibilidad para adelantar retornos adicionales a los accionistas. Esto ha enviado sin duda una señal positiva contundente: la dirección confía plenamente en la intensidad y duración del ciclo actual de memoria, y tiene una visibilidad de flujo de caja más clara que en ciclos anteriores.

Planificación de capacidad DRAM: estrategia “prioridad de fábricas”, avances por fases en la base de Yong-in

SK Hynix reveló detalles adicionales sobre la lógica estratégica tras su plan de inversión en infraestructura de unos 22 billones de wones coreanos, cuyo núcleo es la estrategia "prioridad de fábricas" (fab first).

El plan específico es el siguiente:

• La primera etapa de producción masiva de la Fábrica 1 de Yong-in se adelanta tres meses, concentrándose en la construcción de infraestructura y salas limpias para asegurar la flexibilidad en la expansión de la capacidad;

• Las restantes etapas 2 a 6 de la Fábrica 1 de Yong-in estarán listas progresivamente entre 2028 y 2030;

• La dirección reveló que la capacidad de diseño de la Fábrica de Yong-in será superior al rango estimado previamente por Morgan Chase, de 270,000 a 350,000 unidades por mes (WSPM), y el tamaño real de la construcción de capacidad puede variar según el diseño del edificio de almacenamiento y el calendario de implementación del proceso 1dnm.

 

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