El semiconductor de potencia japonés cae de su pedestal

En marzo de 2026, la industria de semiconductores de potencia de Japón transmitió, en pocos días, dos noticias contundentes que sacudieron la estructura del sector.

El 2 de marzo, “Noticias Industriales Diarias” reveló que Mitsubishi Electric y Toshiba habían iniciado conversaciones para reestructurar el negocio de semiconductores de potencia; solo cuatro días después, “Noticias Económicas de Japón” publicó otro informe importante: el gigante de autopartes DENSO presentó una oferta de adquisición completa al fabricante de semiconductores ROHM, por un monto máximo de 1,3 billones de yenes (aproximadamente 8.300 millones de dólares), estableciendo el mayor tamaño de adquisición en la industria japonesa de semiconductores en los últimos años.

La noticia provocó una rápida y diversa reacción en el mercado. Los partidarios consideran que esto podría marcar el inicio de la era de integración de la industria de semiconductores de potencia japonesa; pero algunos analistas plantean dudas: ¿la acción de DENSO es una apuesta estratégica a largo plazo, o está adquiriendo un problema a un precio elevado?

Sea cual sea la evaluación, ambos eventos apuntan a un mismo hecho: las contradicciones estructurales acumuladas durante mucho tiempo en la industria japonesa de semiconductores de potencia están estallando simultáneamente. Este antiguo reino tecnológico que dominó el mundo, se ve ahora obligado a buscar nuevas rutas bajo la presión interna y de la competencia exterior.

El antiguo rey: la época dorada de los semiconductores de potencia japoneses

Si retrocedemos veinte años, ese fue el periodo de mayor esplendor para los semiconductores de potencia japoneses.

Los semiconductores de potencia no aparecen tan frecuentemente en la esfera pública como los chips lógicos o de memoria, pero son interruptores de corriente indispensables en la civilización industrial. Desde motores de fábrica hasta sistemas de tracción en trenes de alta velocidad, pasando por módulos de conversión de energía en aire acondicionado doméstico y vehículos eléctricos, casi todo lo relacionado con el control y conversión de la energía depende de los semiconductores de potencia.

Para Japón, una isla con una dependencia de importación de energía del 90%, estos héroes invisibles que elevan notablemente la eficiencia energética no solo impactan la competitividad industrial, sino que poseen un significado estratégico innegable.

En el ranking mundial de semiconductores de potencia de Omdia en 2021, Mitsubishi Electric (cuarta mundial), Fuji Electric (quinta), Toshiba (sexta), Renesas Electronics (novena) y ROHM (décima), cinco empresas japonesas estaban entre las diez primeras, sumando más del 20% del mercado global.

Estos números reflejan la acumulación tecnológica y el poder de la cadena de suministro de Japón durante medio siglo; estas cinco empresas establecieron sólidas barreras técnicas en componentes como IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) y MOSFET, ganando la alta confianza de clientes industriales y automovilísticos globales gracias a un control de calidad preciso y respuesta a demandas personalizadas.

El gobierno japonés también mostró gran ambición: en el borrador estratégico de 2024 se propuso aumentar la cuota global de las empresas japonesas del 20% al 40% antes de 2030, y convertir los semiconductores de potencia en un nuevo eje de crecimiento para la manufactura japonesa. El Ministerio de Economía, Comercio e Industrias (METI) ofreció subvenciones continuas: 70.500 millones de yenes para la alianza Fuji Electric-DENSO, 129.400 millones de yenes para la cooperación ROHM-Toshiba, mostrando claramente su intención política.

Sin embargo, cuando el plan era más grandioso, la realidad comenzó a evolucionar en dirección contraria a velocidad visible.

El impacto de China: doble presión desde el mercado final y la cadena de suministro de chips

La dificultad de los semiconductores de potencia japoneses no puede analizarse desvinculada de China. En los últimos cinco años, el impacto chino fue bidireccional: por la desaparición del mercado final y por el avance de la cadena de suministro de chips.

Empecemos por el mercado final. El vehículo eléctrico es el escenario de aplicación incremental más importante para los semiconductores de potencia, especialmente los dispositivos de carburo de silicio (SiC). Las empresas japonesas esperaban que la ola mundial de electrificación disparara la demanda; sin embargo, la realidad incómoda es que Japón tiene una tasa de penetración de vehículos eléctricos por debajo del 10%, muy atrasada frente a China, que ha superado el 60%.

ROHM, Mitsubishi Electric y Fuji Electric, profundamente ligados a fabricantes automotrices japoneses como Toyota y Honda, basaron la expansión de su capacidad de SiC en la premisa de una rápida electrificación del sector automotriz japonés. Sin embargo, cuando la premisa falló, el ciclo de retorno de las grandes inversiones se prolongó indefinidamente.

Ahora, pasemos a la presión de la cadena de suministro.

Primero, los dispositivos basados en silicio como IGBT y MOSFET. El IGBT, uno de los componentes más importantes de los semiconductores de potencia, es el interruptor clave en los sistemas eléctricos de vehículos: motor, control electrónico y gestión de batería. Es además el producto de alto valor añadido que las empresas japonesas han orgullosamente monopolizado, con Mitsubishi Electric y Fuji Electric manteniendo cuotas importantes en el mercado global de módulos IGBT.

La explosión global de los mercados de vehículos eléctricos y inversores fotovoltaicos reconfiguró la competencia en IGBT; las empresas chinas lograron rápido avance gracias a la demanda, destacando CRRC Electric, StarPower, BYD Semiconductor y CR Micro como fuerzas centrales.

Simultáneamente, las empresas chinas adoptaron un modelo industrial integrado “dispositivo + módulo + equipo completo”, donde, por ejemplo, BYD Semiconductor aborda chips IGBT, módulos de potencia y sistemas de tracción eléctrica, alineándose con la competencia sistémica de la era eléctrica. En contraste, las empresas japonesas, por su excesiva dependencia del lento mercado industrial y una visión conservadora sobre vehículos eléctricos, retrasaron la expansión y, sumando costos y cadenas de producción conservadoras, fueron desplazadas por firmas chinas en el mercado.

MOSFET es similar a IGBT; en aplicaciones de electrónica de consumo, variación industrial y control de electrodomésticos, las empresas chinas lograron una sustitución aún más rápida y completa gracias a mejor control de costos y mayor demanda de mercado. CR Micro y Silan Micro, por ejemplo, ya ostentan más del 10% del mercado global de MOSFET, desplazando a las empresas japonesas en el segmento de MOSFET de gama media y baja.

Puede decirse que las empresas japonesas en el frente del silicio ya han pasado de una batalla de posiciones por cuota de mercado a una defensa en nichos de alto valor e industriales especializados.

Ahora, hablemos del tema candente: el carburo de silicio. La cadena de valor de SiC tiene dos segmentos: la producción de sustratos (base), de alta dificultad donde el control del rendimiento es clave, y la fabricación de dispositivos, que implica la fotolitografía y encapsulado sobre el sustrato. La ventaja tradicional japonesa está en el dispositivo, con ROHM en SiC MOSFET representando la capacidad de integración vertical global más avanzada.

Sin embargo, el sustrato es el punto crítico de la cadena. Los costos energéticos representan del 30% al 40% del costo total de producción de SiC, lo que brinda a las empresas chinas una oportunidad con tarifas eléctricas más bajas. Entre 2022 y 2025, Tanke Advanced y Tanke HeDa ascendieron con gran rapidez desde perseguidores a actores dominantes.

Hoy, la estructura global del mercado de sustratos SiC ha cambiado. Tanke HeDa ostenta el 17,3% de la cuota mundial y Tanke Advanced el 17,1%, sumando más de un tercio. La fábrica de Tanke Advanced en Lingang (Shanghai) tiene una capacidad anual de 300.000 sustratos conductivos, planificando alcanzar 960.000; mientras Tanke HeDa dispone bases en Beijing, Jiangsu y Shenzhen, solo la de Shenzhen producirá 250.000 sustratos y epitaxiales en 2024. Lo crucial es que Tanke Advanced ya ha logrado la producción masiva de sustratos de 8 pulgadas, lanzando también los de 12 pulgadas, aumentando en más del 40% el número de chips posibles por wafer.

La diferencia de costes es ya exagerada. El costo nacional de sustrato SiC es aproximadamente un 60% menos que el producto importado; el costo de producción chino de sustratos SiC de 6 pulgadas es de 18.000 yenes (unos 120 dólares), frente a 40.000 yenes japoneses (unos 270 dólares). Esta estructura de costos dispar es como competir con una mano atada para los fabricantes japoneses que dependen de sustratos importados.

Si China ya lidera en sustratos, en dispositivos SiC la brecha se cierra rápidamente.

La fabricación de dispositivos SiC exige alta precisión, especialmente en procesos de grabado, implantación iónica y oxidación, con exigencias de control de defectos mucho más estrictas que en silicio. Hace tres años, la industria estimaba que la brecha técnica entre China y Japón/Europa en dispositivos SiC era de 3 a 5 años; hoy, gracias al avance tecnológico, China ya está al mismo nivel en algunas líneas de productos, ajustándose la diferencia global a menos de tres años, y en ciertos subsegmentos a 2-3 años.

Según datos, el mercado chino de dispositivos SiC alcanzará los 20.000 millones de yuanes en 2024, con 50% de crecimiento anual, y superará los 40.000 millones en 2028. La cuota global de proveedores chinos de dispositivos SiC pasó del 7,1% en 2022 al 13,4% en 2024.

Para las empresas japonesas, el mayor desafío en la carrera SiC no es solo el avance chino en el dispositivo, sino el efecto contraproducente del modelo de integración vertical en la competencia actual.

Las empresas japonesas presumen del modelo IDM (fabricación integrada verticalmente), con control propio de toda la cadena, desde sustrato hasta el encapsulado de dispositivos. Este modelo era un foso defensivo cuando había alta barrera técnica y pocos competidores; pero con la especialización y los bajos costos chinos abarcando sustrato y dispositivo, los altos costes fijos y depreciaciones de la integración vertical se tornaron en carga.

En la pérdida neta de ROHM en el año fiscal 2025 de 50.000 millones de yenes, solo la depreciación de equipos representa 30.000 millones, resultado directo de expansión excesiva y demanda ralentizada, con la tasa de utilización de capacidad por debajo del 30%, costando más por wafer y alejando el punto de equilibrio.

Lesiones internas: fragmentación y colaboración vacía

La presión externa es feroz, pero la verdadera debilidad es la fragmentación interna. Mitsubishi Electric, Fuji Electric, Toshiba, ROHM y DENSO, los cinco gigantes, poseen cada uno menos del 5% de cuota mundial y se consideran rivales entre sí, con una intencionalidad verbal de cooperar que se diluye en la acción.

El caso ROHM-Toshiba es el mejor ejemplo. En 2023, ROHM invirtió 300.000 millones de yenes en la privatización de Toshiba, vista externamente como un prólogo a la alianza: la tecnología de chips automotrices de ROHM junto al bagaje industrial de Toshiba podría formar un conjunto competitivo frente a los gigantes europeos.

Ambas iniciaron producción conjunta y en 2024 anunciaron una cooperación integral en I+D, ventas y compras. Pero tras dos años, la cooperación profunda quedó en negociaciones, según fuentes, paralizada, y ROHM abandonó esfuerzos fuera de la producción conjunta.

La causa es simple pero difícil de resolver. Un empleado senior de una gran empresa japonesa de chips reconoce que la supervivencia depende de satisfacer demandas personalizadas, protegiendo tecnología propia casi por instinto, incluso frente a clientes, mucho más aún frente a competidores.

La falta de confianza es el primer gran obstáculo para la integración profunda. El segundo es la ausencia de líder: con cuotas de mercado similares y ventajas diferentes, nadie quiere ceder en negociaciones de integración. Como dicen en el sector, en Japón nadie quiere admitir ser la adquirida.

Esta lucha individual y la preferencia por ser el líder pequeño antes que parte de un gran conjunto no es exclusiva de los semiconductores de potencia. Ejemplo parecido fue la fallida fusión entre Honda y Nissan, que pese a intentar crear el tercer mayor grupo automotriz ante la ola eléctrica, colapsó en pocos meses por disputas de control y valoración, volviendo a la colaboración dispersa.

Notablemente, la firma del memorando de suministro de wafers entre Toshiba y Tanke Advanced complicó la relación ROHM-Toshiba, aunque Toshiba acabó cancelando la colaboración. Este episodio ilustra vívidamente cómo cada empresa sigue su propia estrategia, y lo que se llama "alianza japonesa de semiconductores" luce más como un deseo en documentos políticos que una guía real de acción empresarial.

Al mismo tiempo, el ciclo de mercado cayó abruptamente entre 2024 y 2025, erosionando aún más la voluntad y capacidad de integración. ROHM registró una pérdida neta anual de 50.000 millones en el ejercicio hasta marzo de 2025, la primera en 12 años; el plan de expansión de SiC de 280.000 millones en tres años se redujo a 150.000 millones, con gastos de capital cayendo 36% interanual.

Renesas Electronics sufrió todavía más. Tras pagar 2.000 millones de dólares por anticipado a Wolfspeed para asegurar sustrato SiC, Wolfspeed quebró, causando 175.300 millones de yenes de pérdida neta en el primer semestre de 2025, el peor registro histórico.

Mitsubishi Electric tampoco es optimista, posponiendo indefinidamente la expansión de su fábrica de wafers SiC en Kumamoto, y el ambicioso plan de inversión de cinco años y 300.000 millones de yenes se enfrenta a profundas recortes.

La apuesta de DENSO: adquisición estratégica o carga forzada?

En este contexto, la propuesta de compra de DENSO rompió la larga calma. Desde el acuerdo de cooperación básico en mayo de 2025, hasta la adquisición del 5% de acciones en julio, y finalmente la oferta completa en febrero de 2026, DENSO mostró que ve a ROHM como clave en su transformación hacia proveedor de soluciones de semiconductores + sistemas, y no solo inversión financiera.

Para entender el motivo de DENSO, hay que buscar en el Grupo Toyota. El presidente Shoji Hayashi anunció en la Feria de Movilidad Japonesa 2025 que la empresa lanzará en 2029 un nuevo ordenador de a bordo con los últimos chips, con semiconductores originales de alta calidad resistentes a ambientes adversos. El subtexto: DENSO quiere controlar toda la cadena del diseño, fabricación e integración de semiconductores, siendo el pilar central del chip en la electrificación de Toyota.

ROHM es la mejor opción para esta ambición. Como una de las pocas empresas que lograron la integración vertical completa en SiC, ROHM tiene una cuota mundial de SiC del 14% y domina la tecnología central de SiC MOSFET para inversores de vehículos. Absorber ROHM permitiría a DENSO cubrir sus debilidades en chips lógicos y analógicos, construir una cadena interna de semiconductores e incluso mitigar riesgos de rupturas de suministro como la quiebra de Wolfspeed.

Sin embargo, el mercado opina distinto. La noticia provocó una caída del 5,6% en el precio de DENSO, y los inversores dudan: ¿realmente puede DENSO revertir el declive de ROHM, una empresa con pérdidas por primera vez en 12 años y baja utilización de capacidad? El perfil de clientes de ROHM también es un riesgo: como proveedor independiente, sirve a múltiples proveedores tier 1 de automoción; al pasar a manos de DENSO, otros tier 1 podrían buscar proveedores alternativos sin relación competitiva, elevando el riesgo de pérdida de clientes.

Más complicado aún: si DENSO se hace con ROHM, ¿cómo trataría la relación SiC con Fuji Electric y cómo definiría la tambaleante sociedad entre ROHM y Toshiba? Tras la apuesta de 1,3 billones de yenes hay decisiones difíciles de repartir intereses.

SiC y GaN: la batalla de la tercera generación de semiconductores

La fusión DENSO-ROHM es, en esencia, una reconfiguración en el campo de la tercera generación de semiconductores. Sin embargo, el carburo de silicio no es la única línea de la lucha de Japón frente a China; el nitruro de galio (GaN) es también campo de intensa competencia.

La lógica competitiva de GaN difiere respecto a SiC. Por características, GaN es adecuado para escenarios de media y baja tensión (menos de 1.000V), mientras SiC domina campos de media y alta tensión (más de 650V), compitiendo en cargadores de vehículos y inversores de a bordo. En comparación, los dispositivos GaN requieren sólo un tercio del área para igualar el rendimiento, lo que, con la tendencia de reducción de costos, da a GaN una ventaja creciente en precio/rendimiento.

En el área de GaN, la ascensión de Innoscience de China es destacable, lograda por una apuesta tecnológica decisiva: la producción masiva de GaN en silicio de 8 pulgadas (GaN-on-Si). Tradicionalmente, GaN se fabricaba en wafers de 6 pulgadas; Innoscience fue la primera en lograr la fabricación escalada en 8 pulgadas, siendo el primer IDM capaz de ello globalmente.

A finales de 2024, Innoscience alcanzó una capacidad mensual de 13.000 wafers de 8 pulgadas, planeando llegar a 70.000 en cinco años, ritmo muy superior a la competencia. Es el único proveedor mundial de GaN cubriendo todo el espectro de 15V a 1.200V, abarcando aplicaciones clave en carga rápida de electrónica de consumo, fuentes de centros de datos, y motores de vehículos eléctricos.

¿Por qué Japón quedó rezagado en GaN? Entre 2015 y 2018, cuando surgía la industria GaN, los fabricantes japoneses de semiconductores de potencia priorizaban dos cosas: ampliar la producción de SiC, esperando una explosión de demanda por la electrificación automotriz, y mantener su posición en IGBT y superjunction MOSFET. Por entonces, los dispositivos GaN se limitaban a carga rápida de electrónica de consumo (baja potencia y valor) y radiofrecuencia en estaciones base, no alineándose con la preferencia japonesa de aplicaciones industriales y automotrices de alta gama.

Este enfoque parecía irreprochable, pero resultó un costoso error. La expansión de aplicaciones GaN excedió todas las previsiones: tras una penetración del 65% en carga rápida, GaN migró rápidamente a fuentes de centros de datos, cargadores de a bordo, LiDAR, e incluso el sistema de alimentación DC de 800V para IA. NVIDIA, en 2025, anunció la integración de GaN en su sistema de alimentación DC de 800V, incluyendo a Innoscience, Infineon, Texas Instruments y Navitas entre sus socios, consolidando a GaN como componente clave para infraestructuras de computación.

Los fabricantes japoneses no sólo fueron lentos; Sumitomo Chemical invirtió en sustratos GaN, pero la escala y ritmo no rivalizan con Innoscience; ROHM también participa, pero está lejos en escala y cobertura; Mitsubishi Chemical planea reducir costes a una décima por lote con equipos grandes, intentando liderar en dispositivos GaN verticales, pero aún falta para producir en masa.

Lo más importante, la competencia GaN ya pasó de dimensiones técnicas a ecológicas: quien cubre más producto, quien fideliza mejor al cliente y quien escala mejor, dominará la próxima explosión de aplicaciones GaN. En estos aspectos Innoscience y similares ya poseen ventaja, y los japoneses difícilmente podrán romper su posición sólo con productos individuales.

En perspectiva macro, Japón está 1-2 años delante de China en chips basados en silicio, 3 años en carburo de silicio, pero ha perdido 2-3 años en nitruro de galio; hasta hace poco parecían amplias diferencias, pero la velocidad de avance china las hace frágiles. Expertos aseguran que a Japón le queda poco tiempo para crear un frente común contra China; la integración ya no es opción, sino necesidad.

Cuarta generación de semiconductores: ¿la última carta o el inicio de un nuevo campo de batalla?

No obstante, reducir la historia japonesa a una tragedia de descenso sería simplista. Mientras pierde terreno en la tercera generación, Japón siembra nuevas posibilidades en la cuarta generación de semiconductores.

La cuarta generación abarca materiales de banda ancha extrema como óxido de galio (Ga₂O₃), diamante y nitruro de aluminio (AlN), así como materiales de banda estrecha como antimonuro de galio y de indio. Todos sobresalen en condiciones extremas: Ga₂O₃ soporta campos eléctricos tres veces más altos que el SiC, y su conductividad es diez veces la de SiC; el diamante, con una conductividad térmica trece veces la del silicio, es reconocido como el material definitivo de semiconductores de potencia, capaz de manejar 50.000 veces la potencia eléctrica de los dispositivos de silicio.

Japón tiene una larga tradición técnica en ambas áreas. En óxido de galio, Novel Crystal Technology lleva desde 2012 invirtiendo en I+D, ya suministra sustratos y epitaxiales de 2 y 4 pulgadas en masa, y planea alcanzar 20.000 wafers de 4 pulgadas al año para 2025. Flosfia, por su parte, con un proceso CVD por pulverización, creó el diodo Schottky de óxido de galio de menor resistencia mundial, ya probado en aplicaciones de DENSO. Según estudios de Fuji Economics, para 2030 el mercado mundial de dispositivos de óxido de galio alcanzará los 1.500 millones de dólares, el 40% del mercado SiC.

El semiconductor de diamante también es especialidad japonesa. El equipo de la Universidad Waseda desarrolló un dispositivo de potencia capaz de manejar más de 6,8 amperios, y la startup derivada Power Diamond Systems planea iniciar muestras al mercado en unos años. Ookuma Diamond Device, fundada por Universidad de Hokkaido y el Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología Industrial, construye una fábrica en Fukushima para producir en masa en el año fiscal 2026; la primera aplicación será robots para limpiar residuos nucleares en Fukushima Daiichi, donde la resistencia del diamante a la radiación es insuperable. En abril de 2025, el Instituto Nacional de Ciencia de Materiales (NIMS) desarrolló el primer MOSFET de canal N de diamante, clave para lograr circuitos integrados CMOS de diamante.

Cabe destacar que MIRISE Technologies, empresa conjunta de investigación de semiconductores de Toyota y DENSO, inició en 2023 un proyecto de tres años con Orbray para desarrollar dispositivos verticales de potencia de diamante para vehículos eléctricos. En otras palabras, si DENSO adquiere ROHM, tendrá el flujo técnico completo desde SiC hasta diamante, abarcando la tercera y cuarta generación de semiconductores de potencia; esta podría ser la estrategia a largo plazo tras la inversión de 1,3 billones de yenes.

No obstante, el liderazgo de Japón en la cuarta generación ya atrae a China. En marzo de 2025, Hangzhou Gallium Semiconductor anunció el primer monocristal de óxido de galio de 8 pulgadas del mundo, marcando el inicio de la era de 8 pulgadas de óxido de galio chino; el equipo de Jiaotong de Xi’an logró, tras diez años, la producción masiva de sustratos de diamante heteroepitaxial de 2 pulgadas, proyecto premiado entre las diez mayores innovaciones de la tercera generación. El Instituto de Materiales y Tecnología de Ningbo, de la Academia China de Ciencias, logró el desarrollo de películas de diamante autoportante de 4 pulgadas de ultra baja curvatura, clave para el ensamblaje de chips de diamante.

La brecha persiste, pero se reduce rápidamente. Tanke Advanced ya investiga el crecimiento de monocristales de diamante MPCVD, y Líder Diamond, Yellow River Whirlwind y otras empresas avanzan velozmente. Si China logrará replicar en la cuarta generación el vuelco visto en SiC, es demasiado pronto para afirmarlo, pero Japón claramente no puede bajar la guardia.

De la pérdida en chips lógicos al dilema de los semiconductores de potencia

La situación actual de los semiconductores de potencia japoneses recuerda a una pérdida mayor de hace treinta años. A fines de los años 90, cuando la industria de chips pasó de integración vertical a especialización, nacieron gigantes de la fundición como TSMC, y Fujitsu, NEC y Hitachi, firmemente anclados en viejos modelos, perdieron el tren y gradualmente se excluyeron de la competencia en chips lógicos avanzados. Esto fue una pérdida significativa en la historia de los semiconductores japoneses.

La historia tiene inquietantes similitudes: entonces fue un cambio de modelo de negocios, ahora es la presión de la competencia en precios y escala; en aquel entonces TSMC transformó la industria, hoy China remodela el mercado de semiconductores de potencia con costes, velocidad y escala. En ambos casos, el reto central japonés es el mismo: cómo consolidar la industria antes de que se pierda la ventaja técnica y cómo transformar la cultura empresarial fragmentada en una competencia industrial unificada.

La diferencia es que los semiconductores de potencia, a diferencia de los lógicos, tienen un foso técnico irremplazable; Japón mantiene verdaderas barreras en IGBT de gama alta, certificación de confiabilidad automotriz y acumulación de materiales y procesos. Mitsubishi Electric y Fuji Electric poseen fortalezas innegables en módulos de alta tensión para transportes y variadores industriales, las cuales no se pueden borrar de la noche a la mañana con lucha de precios. Esta es la confianza de la industria japonesa y la razón por la que las fusiones y reestructuraciones aún tienen sentido.

Epílogo: la fusión es el inicio, no el final

Si la integración DENSO-ROHM prospera, nacerá el primer gigante verdaderamente integrado verticalmente (Tier 1+IDM) en la historia japonesa de semiconductores de potencia, proporcionando fortaleza técnica frente a las empresas chinas.

Las negociaciones entre Mitsubishi Electric y Toshiba representan otro camino de reestructuración. Su avance, y cómo se produzca, determinará cuánto poder colectivo tendrá la industria japonesa frente a sus rivales chinos y europeos a largo plazo.

En la sombra de todas estas luchas de integración en la tercera generación, la pista de la cuarta generación crece silenciosamente. Aunque materiales como óxido de galio y diamante están lejos de la comercialización masiva, en esta ventana pre-madura, quien acumule la base tecnológica más sólida puede asegurarse de diez años de ventaja. Japón aún posee fichas, pero la cuestión es si podrá aprovechar el efecto escala de las reestructuraciones para adelantarse unos pasos en la transición a la cuarta generación de semiconductores de potencia.

La industria japonesa de semiconductores de potencia, tras caer del pedestal, se encuentra en un difícil y crucial cruce histórico. La fusión es una búsqueda proactiva bajo presión, no una declaración de victoria; la integración es necesaria pero dista de ser suficiente.

El tiempo de Japón se agota, no es solo una advertencia, es un reloj de cuenta atrás que ya empezó.

Fuente del artículo: Observador de la industria de semiconductores