SK Hynix accélère sur la DRAM 1c : le taux de rendement atteint 80 % et plus de la moitié de la capacité sera convertie cette année

格隆汇, 9 avril — Selon dealsite, SK海力士 accélère l'amélioration de la compétitivité de sa DRAM de sixième génération en 10 nanomètres (1c), avec des investissements dans des équipements EUV (lithographie extrême ultraviolet) environ trois fois supérieurs aux prévisions initiales pour cette technologie. Selon des sources du secteur, SK海力士 concentre ses efforts sur le développement de la technologie 1c DRAM afin de l'intégrer dans la puce centrale HBM4E de mémoire à large bande passante de septième génération (HBM), des échantillons devant être livrés cette année. Étant donné que le plus grand client de la HBM, Nvidia, prévoit de lancer au second semestre de l’an prochain son nouvel accélérateur d’intelligence artificielle de nouvelle génération « Vera Rubin Ultra », équipé de HBM4E, SK海力士 doit accélérer le rythme de sa R&D. Selon des sources du secteur, le rendement de la DRAM standard 1c chez SK海力士 a atteint 80%. Cette année, l’entreprise prévoit de convertir plus de la moitié de sa capacité de production de DRAM en produits utilisant le procédé 1c, avec pour objectif d’atteindre une capacité d’environ 190 000 unités d’ici la fin de l’année.