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Microsoft e Google gareggiano per firmare un accordo DRAM a lungo termine con SK Hynix, un contratto pluridecennale da decine di migliaia di miliardi di won è in arrivo

Microsoft e Google gareggiano per firmare un accordo DRAM a lungo termine con SK Hynix, un contratto pluridecennale da decine di migliaia di miliardi di won è in arrivo

华尔街见闻华尔街见闻2026/04/05 11:36
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Per:华尔街见闻

L’ondata di investimenti nelle infrastrutture dell’intelligenza artificiale sta rimodellando i modelli di acquisto globali dei chip di memoria. Microsoft e Google stanno cercando di stipulare accordi pluriennali, senza precedenti, di fornitura di DRAM con SK Hynix: i contratti includono non solo clausole di protezione sul prezzo minimo, ma introducono anche la meccanica del deposito anticipato—un fatto mai visto nella storia dell’industria della memoria.

Secondo fonti del settore in Corea, SK Hynix e Microsoft stanno finalizzando i termini definitivi per un contratto di fornitura a lungo termine di DDR5, con una durata di tre anni a partire da quest’anno e un valore che raggiunge decine di migliaia di miliardi di won. Le clausole chiave in discussione includono: il settaggio di un prezzo minimo per evitare cali significativi del prezzo unitario di DRAM durante la durata del contratto, e la richiesta al compratore di versare un anticipo tra il 10% e il 30% del valore totale del contratto. SK Hynix sta anche negoziando con Google sull’offerta a lungo termine di High Bandwidth Memory (HBM) e DRAM per server generici.

La struttura di questi accordi rompe le prassi del settore della memoria. Una persona a conoscenza delle trattative ha affermato: “La grande differenza rispetto al passato è che i cloud provider di grandi dimensioni sono disposti a pagare un deposito anticipato—questo è decisamente notevole.” Microsoft e Google non avevano mai stipulato contratti annuali o pluriennali di fornitura con i produttori di memoria, proprio a causa delle forti oscillazioni dei prezzi DRAM, che storicamente non si prestano a contrattazioni con prezzi bloccati a lungo termine.

La scarsità di offerta e l’impennata dei prezzi hanno reso inevitabile la “priorità del volume”. Il prezzo fisso delle transazioni DRAM è cresciuto per undici mesi consecutivi; il prezzo contrattuale della DDR4 è decollato da 1,35 dollari di marzo scorso a 13 dollari a fine mese scorso, con un incremento vicino al dieci volte. Il mercato si aspetta che Samsung Electronics e SK Hynix registrino performance trimestrali record.

Struttura dei contratti senza precedenti: il deposito anticipato è la novità principale

I contratti di fornitura a lungo termine (LTA) sono una forma di contratto che blocca in anticipo quantità e prezzi e vengono normalmente adottati quando la fornitura di uno specifico prodotto si fa scarsamente disponibile o i prezzi si impennano. Tuttavia, nel campo DRAM, simili contratti erano finora rarissimi.

Per via della forte dipendenza ciclica dalla domanda e offerta di mercato e dell’alto grado di variabilità dei prezzi, i grandi player tecnologici hanno tradizionalmente firmato contratti di acquisto trimestrali con i produttori, molto raramente bloccando prezzi su base annuale o superiore. Il nuovo accordo triennale proposto da Microsoft e Google rappresenta già un’evoluzione significativa nella durata del contratto.

La clausola del deposito anticipato va oltre. Secondo quanto riportato, le parti stanno discutendo di far versare al compratore tra il 10% e il 30% dell’importo totale del contratto. Questo significa che Microsoft o Google verseranno a SK Hynix, prima della consegna del prodotto, fondi pari a migliaia di miliardi di won, garantendo al fornitore entrate anticipate e condividendo il rischio dell’investimento. Il contratto include anche il prezzo minimo garantito, offrendo una tutela per il venditore e proteggendo dal rischio di forti ribassi futuri dei prezzi DRAM.

Inoltre, Microsoft e Google stanno portando avanti trattative simili con Samsung Electronics, mentre Micron Technology, terzo al mondo nella DRAM, ha già firmato questo tipo di contratto lo scorso mese. Questo dimostra che questa ondata di contratti a lungo termine sta investendo l’intera industria su scala globale.

Priorità sulla quantità: la corsa agli armamenti AI acuisce l’ansia di approvvigionamento

I grandi player tecnologici cercano accordi per bloccare la quantità per rispondere alla carenza di DRAM provocata dall’ondata globale di investimenti nelle infrastrutture AI.

Un dirigente senior del settore semiconduttori ha affermato: “Il problema attuale non è solo il prezzo troppo alto, ma la difficoltà nel reperire la quantità stessa di DRAM.”

Secondo i dati DRAMeXchange, il prezzo fisso della DDR4 è cresciuto per undici mesi consecutivi, con aumenti mensili della DRAM per PC fino al 46%. La domanda di DRAM generica e HBM per server AI ha superato l’offerta, portando i piani di espansione data center delle imprese cloud a un vero e proprio collo di bottiglia.

Gli analisti ritengono che, con la competizione globale sulle infrastrutture AI che si prospetta di lunga durata, la strategia di acquisto delle principali aziende tecnologiche sia passata da “ottimizzazione del prezzo” a “bloccare la quantità per primi”, accettando rischi più elevati di prezzo bloccato e costi maggiori di capitale immobilizzato. Questa nuova ondata di LTA rappresenta un segnale che le multinazionali tech stanno riposizionando la DRAM da semplice commodity a risorsa strategica da accumulare.

Samsung e SK Hynix investono massicciamente su espansione e innovazione tra HBM e DRAM generica

Per rispondere alla crescente pressione della domanda, Samsung Electronics e SK Hynix hanno già avviato nuovi piani d’investimento in capacità produttiva.

Samsung Electronics sta accelerando la produzione di DRAM di sesta generazione da 10 nanometri (1c), utilizzata per HBM4, presso il principale stabilimento DRAM di Pyeongtaek, nella provincia di Gyeonggi; nel sito di Hwaseong, sta puntando alla conversione dei processi alla quinta generazione (1b) per moduli SOCAMM e DRAM generici su scala 10 nanometri.

Per SK Hynix, il nuovo stabilimento M15X a Cheongju, nella provincia di Chungcheongbuk-do, è il centro della risposta alla nuova domanda di HBM; anche la sede principale a Icheon (Gyeonggi-do) sta accelerando la migrazione ai processi DRAM più avanzati di tipo 1c.

Scarsità di offerta porta le previsioni trimestrali ai massimi storici

I diretti beneficiari della penuria di DRAM sono i risultati finanziari di Samsung Electronics e SK Hynix. Diversi broker prevedono profitti record per entrambe le aziende nel primo trimestre dell’anno.

Secondo il rapporto pubblicato il 3 aprile dal Meritz Financial Group, la stima dei ricavi del primo trimestre di Samsung Electronics è di 122 trilioni di won, con un utile operativo di 54 trilioni di won—più che triplo rispetto al massimo storico del primo trimestre 2022 (14,12 trilioni di won).

FnGuide prevede per SK Hynix ricavi di 46,6252 trilioni di won e utile operativo di 31,5627 trilioni di won nel primo trimestre, circa 4,2 volte in più rispetto ai 7,4405 trilioni di won dell’anno scorso nello stesso periodo.

Gli analisti ritengono che, con la firma di accordi di lungo termine e il miglioramento del flusso di cassa derivante dalle clausole sui depositi anticipati, la visibilità sui risultati dei produttori di memoria migliorerà ulteriormente, offrendo un sostegno fondamentale al settore dei semiconduttori in Corea.

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Esclusione di responsabilità: il contenuto di questo articolo riflette esclusivamente l’opinione dell’autore e non rappresenta in alcun modo la piattaforma. Questo articolo non deve essere utilizzato come riferimento per prendere decisioni di investimento.

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