SK Hynix intensyfikuje produkcję 1c DRAM: wydajność osiągnęła już 80%, ponad połowa mocy produkcyjnych zostanie przestawiona w tym roku

Według Golden Ten Data, 9 kwietnia, jak podaje dealsite, SK Hynix przyspiesza działania na rzecz zwiększenia konkurencyjności swojej DRAM szóstej generacji w 10 nanometrach (1c). Inwestycje w urządzenia litografii EUV, przeznaczone dla tej technologii, wzrosły niemal trzykrotnie w porównaniu z pierwotnym planem. Źródła branżowe ujawniają, że SK Hynix koncentruje się na rozwoju technologii 1c DRAM, aby móc ją zastosować w czipach core HBM4E siódmej generacji z wysoką przepustowością, a także planuje w tym roku dostarczyć próbki. Ponieważ główny klient HBM, NVIDIA, planuje wprowadzić w drugiej połowie przyszłego roku nową generację akceleratora AI „Vera Rubin Ultra” wyposażonego w HBM4E, SK Hynix musi przyspieszyć prace badawczo-rozwojowe. Źródła branżowe przekazały, że stopa sprawności produkcji uniwersalnych 1c DRAM w SK Hynix osiągnęła już 80%. Firma planuje w tym roku przekształcić ponad połowę swojej mocy produkcyjnej DRAM na produkty w technologii 1c, a do końca roku oczekuje się zabezpieczenia mocy produkcyjnej na poziomie około 190 tysięcy wafli.