SK hynix đẩy mạnh sản xuất 1c DRAM: tỷ lệ thành phẩm đã tăng lên 80%, hơn một nửa công suất sẽ được chuyển đổi trong năm nay

Golden Ten Data ngày 9 tháng 4 | Theo dealsite, SK Hynix đang đẩy nhanh việc nâng cao năng lực cạnh tranh của DRAM thế hệ thứ 6 10 nanomet (1c), với khoản đầu tư vào thiết bị EUV cho công nghệ này cũng tăng gấp khoảng ba lần so với kế hoạch ban đầu. Theo các chuyên gia trong ngành, SK Hynix đang tập trung nỗ lực phát triển công nghệ DRAM 1c để ứng dụng vào chip lõi bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ 7 (HBM) HBM4E, và dự kiến sẽ giao mẫu trong năm nay. Do khách hàng lớn nhất của HBM là Nvidia dự kiến sẽ ra mắt bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo “Vera Rubin Ultra” tích hợp HBM4E vào nửa cuối năm sau, SK Hynix buộc phải đẩy nhanh tiến độ R&D. Theo nguồn tin trong ngành, tỷ lệ thành phẩm DRAM 1c thông dụng của SK Hynix đã tăng lên 80%. Công ty dự kiến trong năm nay sẽ chuyển hơn một nửa năng lực sản xuất DRAM sang sản phẩm công nghệ 1c, và dự kiến đến cuối năm sẽ đảm bảo công suất sản xuất khoảng 190 nghìn tấm wafer.