Samsung y SK Hynix “ajustan su estrategia”: adelantan los planes de producción de nuevas fábricas de almacenamiento

Ante el aumento vertiginoso de la demanda de chips de memoria impulsada por la inteligencia artificial, los dos grandes gigantes coreanos del almacenamiento, Samsung Electronics y SK Hynix, están acelerando la puesta en marcha de nuevas fábricas de obleas, cambiando el enfoque estratégico de una gestión cautelosa del suministro a una expansión activa de la producción para aprovechar los beneficios del “superciclo” de la industria.

Según el diario coreano Chosun Ilbo, SK Hynix planea adelantar la prueba piloto de su planta de obleas de la Fase 1 en Yongin a febrero o marzo del próximo año, iniciando operaciones antes de la fecha prevista de finalización. Samsung Electronics también adelantará el inicio de operaciones de su fábrica P4 en Pyeongtaek del primer trimestre del próximo año al cuarto trimestre de este año, adelantando la planificación de producción unos tres meses. Ambas compañías centrarán sus nuevas líneas en productos de alto valor añadido, como DRAM de alto rendimiento y HBM (memoria de alto ancho de banda).

El trasfondo de esta aceleración en la expansión de la producción es el auge de la demanda de chips para servidores originada por la expansión global de los centros de datos de IA. Según datos de KB Securities, hasta febrero de este año, la tasa de satisfacción de la demanda de chips de memoria de los principales clientes era de solo alrededor del 60%, con una escasez más aguda que en el cuarto trimestre del año pasado. Alrededor del 70% de los envíos de memoria de Samsung Electronics ya son absorbidos por empresas de centros de datos de IA.

Se espera de forma generalizada que la situación de escasez de suministro continúe hasta 2027. Citigroup prevé que este año el crecimiento de la oferta de DRAM y NAND Flash será del 17,5% y 16,5% respectivamente, mientras que el crecimiento de la demanda alcanzará el 20,1% y 21,4%.

Nuevas líneas comenzarán a operar meses antes

SK Hynix está construyendo la Fase 1 de una planta de obleas en el clúster semiconductor de Yongin, con el objetivo de finalizar en mayo del próximo año. Ya se ha completado aproximadamente la mitad de la estructura exterior del proyecto y tres de las seis salas limpias se están construyendo simultáneamente. Esta planta de tres pisos es seis veces más grande que la planta M15X de Cheongju.

Según el Chosun Ilbo, citando a fuentes conocedoras, SK Hynix se prepara para iniciar pruebas piloto antes de la fecha prevista de finalización, posiblemente ya en febrero o marzo del próximo año. La empresa planea instalar rápidamente equipos en la sala limpia que primero se complete y priorizar la producción de DRAM de alto rendimiento (como DDR5) y productos HBM, cuya demanda se está disparando en la era de la IA.

Samsung Electronics está construyendo la fábrica de obleas P4 (cuarta planta) en Pyeongtaek, originalmente programada para finalizar en el primer trimestre del próximo año, pero ahora planea adelantarla al cuarto trimestre de este año, comprimiendo el cronograma de producción en unos tres meses. Samsung Electronics ajusta de manera flexible entre equipos de memoria y de fundición según las condiciones del mercado, y se espera que P4 se centre en la producción de memoria de alto rendimiento, actualmente en situación de escasez. Se informa que Samsung Electronics ha diseñado recientemente una estrategia para construir una nueva línea de producción de DRAM de sexta generación de 10 nanómetros (1c) para HBM en la fábrica P4, con una capacidad mensual estimada de 100.000 a 120.000 obleas.

Según el Chosun Ilbo citando a un profesional de la industria de semiconductores:

"Las empresas coreanas de memoria están en un estado de máxima actividad para adelantar los tiempos de producción."

La expansión de capacidad aún no alcanza el ritmo de crecimiento de la demanda

Según la firma de investigación de mercado Omdia, la capacidad anual de producción de DRAM de Samsung Electronics (medida en obleas) aumentará de 7,47 millones de obleas en 2024 a 8,175 millones este año. La capacidad de SK Hynix para el mismo periodo pasará de 5,115 millones a 6,39 millones de obleas. Con el inicio anticipado de las nuevas fábricas, se espera que la producción aumente aún más el próximo año.

El principal motor detrás de la aceleración de la expansión de ambas empresas es el auge de la demanda de DRAM de alto rendimiento para servidores, impulsada por la expansión de los centros de datos de IA. Debido a que las líneas de producción se centran en chips HBM de alto valor añadido, la producción de DRAM general disminuye relativamente, agravando la escasez de suministro.

KB Securities señala:

"Hasta febrero, la intensidad de la escasez de chips de memoria era mayor que en el cuarto trimestre del año pasado, y la tasa de satisfacción de la demanda de los principales clientes era solo del 60%. El 70% de los envíos de memoria de Samsung Electronics fue absorbido por empresas de centros de datos de IA."

Citigroup analiza que este año la tasa de crecimiento de la oferta de DRAM será del 17,5% y la de NAND Flash del 16,5%. En comparación, se espera que la demanda de DRAM crezca un 20,1% y la de NAND Flash un 21,4%, de modo que la demanda sigue superando a la oferta.

Principales firmas de investigación de mercado como Morningstar y JPMorgan predicen que la escasez de memoria continuará hasta 2027. DS Investment Securities señala:

"Si en 2027 el crecimiento de la oferta es solo del 1%, este ciclo de DRAM durará al menos hasta 2027. La demanda de DRAM centrada en servidores está directamente relacionada con la competitividad y es difícil de reducir, por lo que se espera que la subida de precios continúe hasta el tercer trimestre de 2026."

Las empresas confirman un fuerte aumento en el gasto de capital

Tanto Samsung Electronics como SK Hynix indicaron en sus últimos informes de resultados que aumentarán el gasto de capital este año para hacer frente a la escasez de memoria. Kim Jae-june, vicepresidente de la división de memorias de Samsung Electronics, afirmó:

"Con la expectativa de que la demanda relacionada con la IA continúe, planeamos ampliar significativamente la inversión en equipos para 2026. Sin embargo, este año y el próximo, la expansión de equipos estará limitada y la escasez de suministro podría intensificarse."

Esta declaración pone de manifiesto la naturaleza retardada de la expansión de la capacidad en la industria de semiconductores. Aunque las empresas aumentan la inversión y adelantan la puesta en marcha, desde la construcción hasta la producción estable a gran escala se requiere tiempo, y a corto plazo resulta difícil aliviar completamente el desequilibrio entre oferta y demanda.

Un profesional de la industria de semiconductores explica la intención estratégica de adelantar las pruebas piloto:

"Esto es para entrar rápidamente en la fase de prueba piloto, estabilizar el sistema de producción a gran escala y, al mismo tiempo, enviar una señal a los clientes de que se puede garantizar un suministro estable."