Samsung avanza en tecnología de proceso avanzado: la tasa de rendimiento de 2 nanómetros supera el 60%, objetivo de lograr 1 nanómetro para 2030

Samsung está avanzando con fuerza en su estrategia de procesos avanzados de semiconductores; el rendimiento del proceso de 2 nanómetros ya ha superado el 60%, y ha establecido como objetivo para la próxima etapa la introducción del proceso de 1 nanómetro en 2030, buscando reducir la brecha con TSMC en el mercado de fundición de obleas de gama alta.

Según el medio coreano Economía de Corea, citando fuentes, el departamento de fundición de obleas de Samsung ha fijado claramente para el año 2030 la introducción del proceso de 1 nanómetro, momento en el que implementará la nueva tecnología de arquitectura fork sheet. Al mismo tiempo, el rendimiento del proceso de 2 nanómetros de la compañía ya ha alcanzado más del 60%, lo que representa una mejora significativa en la eficiencia de producción, y se espera ampliamente que su negocio de fundición de obleas logre rentabilidad este año.

El avance en el rendimiento ha reforzado directamente la confianza del mercado en el negocio de fundición de Samsung. El informe también revela que Samsung ha desarrollado el proceso personalizado SF2T para el chip AI de 2 nanómetros de Tesla llamado "AI6", cuya producción en masa está prevista para el año 2027 en la nueva planta de obleas de Taylor, Texas, fortaleciendo aún más su cartera de clientes de gama alta.

Paralelamente, TSMC, Rapidus y otras principales fundiciones están acelerando sus propias hojas de ruta hacia la tecnología de 1 nanómetro, intensificando la competencia global por procesos avanzados.

Rendimiento mejorado de 2 nanómetros, expectativas de rentabilidad fortalecidas

De acuerdo a fuentes citadas por Economía de Corea, el rendimiento del proceso de 2 nanómetros de Samsung actualmente supera el 60%, y la significativa mejora en la eficiencia de producción se considera el factor clave que permitirá al negocio de fundición pasar a ser rentable este año. El aumento del rendimiento significa que el número de chips utilizables por cada oblea se incrementa, lo que reduce directamente los costos por unidad y fortalece de manera notable la capacidad de negociación de Samsung en el competitivo mercado de fundición.

Para consolidar aún más su base de clientes, Samsung está ampliando activamente la gama de variantes de su proceso de 2 nanómetros. Samsung está desarrollando el proceso SF2T personalizado para el chip AI de 2 nanómetros "AI6" de Tesla, cuyo inicio de producción masiva está programado para 2027 en la planta de Taylor, Texas.

En cuanto a otras variantes, el proceso SF2P está previsto para aplicarse a partir de 2026 en el procesador de aplicaciones (AP) para próximos smartphones de la división System LSI de Samsung; el SF2P+, con características mejoradas de rendimiento, se espera que entre en uso en 2027. Mediante la construcción de una matriz de variantes de procesos dirigidos a distintos escenarios de aplicación, Samsung busca abarcar demandas diversas, desde computación móvil hasta inferencia de IA, reforzando su atractivo para clientes clave.

Camino hacia los 1 nanómetros: la arquitectura fork sheet como soporte tecnológico clave

En la hoja de ruta tecnológica de 1 nanómetro, Samsung planea introducir la arquitectura fork sheet para superar los límites físicos de la tecnología actual de compuerta alrededor (GAA). La tecnología GAA permite que la corriente fluya por los cuatro lados del canal del transistor, mejorando la eficiencia energética respecto a los diseños tradicionales de tres lados, y Samsung ya la aplica en el proceso de 2 nanómetros.

Sobre esta base, la arquitectura fork sheet reduce aún más el espacio entre transistores GAA —al incorporar paredes aislantes entre ellos, similar a reemplazar los huecos entre casas por divisiones sólidas— lo cual permite integrar más transistores en la misma área del chip y lograr una mayor densidad de integración. Vale destacar que, según los informes, TSMC también planea usar la estructura fork sheet en su proceso de 1 nanómetro después de 2030, lo que significa que Samsung podrá competir en igualdad de condiciones en tecnologías clave con el líder del sector.

La competencia global por los 1 nanómetros se calienta, TSMC y Rapidus aceleran sus despliegues

Samsung no es el único fabricante de obleas que apuesta por la tecnología de 1 nanómetro. Según Nikkei XTech, Kazunari Ishimaru, director técnico de Rapidus, señaló que la empresa busca reducir la brecha tecnológica con TSMC a unos seis meses en el nodo de 1 nanómetro. Rapidus tiene previsto iniciar el desarrollo de la tecnología de fabricación de semiconductores de 1.4 nanómetros en 2026, con objetivos de producción masiva alrededor de 2029.

Por su parte, TSMC está aún más avanzado. El proceso de 1 nanómetro podría implementarse primero en el Parque Científico Central; la primera planta de obleas podría terminar la prueba de producción para finales de 2027, pasando a producción masiva en la segunda mitad de 2028. Si TSMC sigue su cronograma, estará adelantado aproximadamente dos años respecto a Samsung. Sin embargo, con la mejora continua del rendimiento de Samsung en 2 nanómetros y la mayor claridad en su hoja de ruta hacia 1 nanómetro, su estrategia para alcanzar a TSMC es cada vez más clara.